22.03.2017 Новости
По всей видимости, новый накопитель предназначен для тех сфер применения, где минимизация задержек является одним из важнейших параметров; в частности, для баз данных
В то время как Intel и Micron связывают будущее твердотельных накопителей с памятью 3D XPoint, компания Samsung придерживается более традиционного подхода и продолжает планомерно наращивать скорость работы привычной флэш-памяти NAND — Z-SSD. Первое и единственное упоминание твердотельных накопителей на основе новой флэш-памяти NAND пока что датируется летом прошлого года. И вот теперь на выставке Cloud Expo в Лондоне Samsung поведала о характеристиках первого прототипа на базе Z-SSD. Тестовый образец с интерфейсом PCIe называется MZ-PJB8000 и имеет емкость 800 Гб. Благодаря использованию памяти Z-NAND и новому контроллеру (о нем информации пока нет) задержка сократится на 70% по сравнению с современными SSD c NVMe. На линейных операциях Z-SSD упирается в возможности интерфейса PCIe 3.0×4: и при записи, и при чтении он может развивать скорость до 3,2 Гб/с. А вот с производительностью на случайных операциях ситуация асимметричная: 750 тыс. IOPS при чтении случайными блоками объёмом 4 Кб и до 160 тыс. IOPS при таких же операциях записи. Что касается выносливости, этих данных Samsung пока не приводит. Также компания пока не спешит делиться подробностями о структуре памяти Z-NAND. По мнению издания AnandTech, корейцы, вероятнее всего, применили уже знакомую память V-NAND, работающую в режиме SLC. Известно также, что сама структура Z-NAND позаимствована у четвёртого поколения V-NAND. На сегодня вертикальная «стопка» ячеек V-NAND имеет максимум 64 слоя при ёмкости каждого ...
читать далее.
