25.04.2005 ИТ-рынокКомпании Advanced Micro Devices и IBM сообщили о сотрудничестве в области новой технологии напряженного кремния, позволяющей увеличить быстродействие транзисторов. В совместном заявлении, сделанном накануне открытия конференции IEEE International Electron Devices в Сан-Франциско, эта технология была названа «прорывом», который приведет к увеличению скорости транзисторов на 24% без повышения уровня рассеиваемой мощности. Метод напряженного кремния будет использоваться в сочетании с технологией «кремний на диэлектрике» (КНД), разработанной IBM ранее и также обеспечивающей повышение производительности. AMD сообщила, что планирует интегрировать эти технологии во все свои 90-нм платформы к середине 2005 г., т. е. примерно к тому времени, когда она выпустит свой первый двухъядерный процессор. «Я думаю, что повышение быстродействия при сохранении низкой теплоотдачи будет главным фактором для успеха нового процессора», — говорит Оливер Пойтримол, директор компании Dynamic Advantage, занимающейся сборкой систем. В течение последних нескольких лет, по словам Пойтримола, он наблюдал, как между AMD и Intel «с переменным успехом» шла война за наилучшее сочетание скорости и мощности процессора. Теперь, считает он, преимущество переходит к AMD. Заявление о сотрудничестве между AMD и IBM, вероятно, повысит ставки в гонке за производительность с Intel. Она также намерена начать поставки двухъядерных кристаллов в 2005 г., заявляя, что будет использовать более совершенный и эффективный 65-нм ...
читать далее.