06.05.2013  Новости

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства 128-гигабитных чипов памяти NAND на базе 3-разрядных многоуровневых ячеек (MLC) с использованием технологического процесса класса 10 нм. Высокопроизводительный чип позволяет разрабатывать решения памяти высокой плотности, например, встроенную память NAND и твердотельные диски (SSD). ПО словам представителей корпорации, новый чип памяти – это критически важный этап в развитии флэш-памяти NAND, и своевременный запуск его производства повысит конкурентоспособность Samsung на рынке памяти высокой плотности. Флэш-память 128Gb NAND от Samsung создана на базе 3-разрядных многоуровневых ячеек и технологического процесса 10 нм. Она обеспечивает самую высокую плотность записи данных в отрасли и позволяет передавать данные со скоростью 400 Мбит/с на базе интерфейса Toggle DDR 2.0 (самый высокий показатель среди аналогичных решений памяти, по данным производителя). За счет флэш-памяти 128Gb NAND компания расширит ассортимент карт памяти объемом 128 Гбайт. Samsung также будет увеличивать объем производства дисков SSD емкостью свыше 500 Гбайт, что позволит более активно использовать твердотельные диски в компьютерных системах и заменить ими жесткие диски на рынке накопителей для ноутбуков. Линейку 3-разрядной памяти NAND класса 10 нм, дополнением которой станет новая флэш-память 128Gb, Samsung начала выпускать в ... читать далее.