13.03.2014  Новости

Компания Samsung Electronics объявила о старте массового производства новейших 4-Гбит чипов памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу. Выпуск DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флэш-памяти. Чтобы справиться с этой сложной задачей, Samsung использует новейшие технологии двойного шаблона и атомно-слоевого осаждения. Это не только позволило компании выпускать чипы памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу, используя существующую иммерсионную ArF-литографию (литография с использованием эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета), но и сделает возможным производство следующего поколения DRAM по техпроцессу класса 10 нм в будущем. Кроме того, Samsung добилась беспрецедентной однородности нанесения сверхтонких диэлектрических пленок конденсаторов, что дополнительно улучшило эффективность памяти. Одновременно Samsung повысила эффективность производства: для новых чипов она на 30 % выше, чем для DDR3 по 25-нм техпроцессу, и вдвое больше по сравнению с DDR3 по 30-нм техпроцессу. Показатели энергоэффективности чипов на 25 % опережают характеристики мобильной памяти, изготовленной по 25-нм техпроцессу. Это достижение станет основой для разработки новейших «зеленых» IT-решений для мировых компаний. «Новые модули памяти способствуют активному развитию рынка, в первую очередь ... читать далее.