26.08.2013 НовостиКомпания Samsung Electronics представила на Flash Memory Summit первый твердотельный диск (SSD), созданный на основе технологии 3D V-NAND и предназначенный для использования в корпоративных серверах и ЦОД. Технология 3D V-NAND, собственная разработка Samsung, создана на основе ячеек цилиндрической формы 3D Charge Trap Flash (CTF) и технологии вертикальных соединений, что позволяет собрать трехмерный (3D) массив ячеек из 24 слоев. Технология позволяет преодолеть технологические ограничения процесса обработки класса 10 нм и улучшить производственный процесс более чем в два раза по сравнению с плоской флэш-памятью NAND класса 20 нм. Диски на основе 3D V-NAND имеют высокую плотность и надежность, и обеспечивают рост производительности, по данным Samsung Electronics, более чем на 20% и снижение энергопотребления более чем на 40%. Твердотельные диски V-NAND от Samsung предлагаются в двух версиях: с объемом 480 и 960 Гбайт. Версия 960 Гбайт отличается самым высоким уровнем производительности, обеспечивает рост скорости последовательной и произвольной записи более чем на 20% благодаря 64 кристаллам флэш-памяти MLC 3D V-NAND и контроллеру интерфейса SATA 6 Гбит/с. Новый твердотельный диск V-NAND также поддерживает 35 тыс. программных циклов удаления и предлагается в форм-факторе 2,5 дюйма, что обеспечивает производителям серверов большую гибкость при проектировании и масштабировании. Компания Samsung заявила, что будет продолжать выводить на рынок продукты V-NAND нового поколения с ...
читать далее.
