06.10.2015 НовостиНа протяжении вот уже нескольких десятилетий электронные устройства становятся все меньше и меньше. Количество транзисторов на одном полупроводниковом чипе уже измеряется миллиардами, но, как известно, предел есть во всем, в том числе и у физических возможностей кремниевых транзисторов. В полупроводниковой индустрии этот предел называется «red brick wall». На днях исследователи IBM заявили о том, что им удалось найти способ перепрыгнуть через эту «кирпичную стену» и потенциально ускорить процесс замены кремниевых транзисторов транзисторами на углеродных нанотрубках. Инженеры также придумали, как снизить сопротивление в месте контакта нанотрубки с металлическим контактом. Как утверждает IBM, благодаря преодолению проблемы с ростом электрического сопротивления в месте контакта ей удалось уменьшить величину узла до 1,8 нм, что на четыре поколения опережает текущие разработки. Таким образом, достигнутая компанией ширина контакта составляет 40 атомов. Инженеры полупроводникового гиганта надеются, что примерно к 2018 г. смогут уменьшить эту ширину до 28 атомов. В новой технологии ключевым моментом оказалось образование химических связей между нанообъектом и металлом контакта. Авторы работы предложили использовать в качестве материала контакта молибден. При химическом взаимодействии с концом одностенной полупроводниковой нанотрубки металл образует карбид молибдена. В результате удалось создать фрагмент электрической цепи с 9-нм контактом и сопротивлением всего от 25 до 36 кОм ...
читать далее.
