02.12.2013  Новости

Корпорация Toshiba объявила о начале выпуска новых встраиваемых модулей флэш-памяти на основе логики NAND, в которых интегральные схемы (ИС) NAND интегрированы с использованием 19-нм технологии второго поколения. Эти модули совместимы со стандартом JEDEC e･MMCTM версии 5.0 (опубликован Объединенным советом по разработке электронных устройств JEDEC в сентябре этого года) и предназначены для применения в цифровых потребительских продуктах, включая смартфоны, планшетные компьютеры и цифровые видеокамеры. В серийное производство они запущены с конца ноября. Модули флэш-памяти NAND высокой плотности с поддержкой видео высокого разрешения и усовершенствованным хранилищем особенно актуальны там, где требуется встроенная память с функцией контроллера, которая минимизирует требования к разработке и облегчает интеграцию памяти в продукцию. В разработанный компанией встраиваемый модуль памяти объемом 32 Гбайт интегрировано четыре ИС NAND второго поколения объемом 64 Гбит каждая и выделенный контроллер. Все это размещено в компактном корпусе размером 11,5x13x1,0 мм. Модуль обеспечивает высокую производительность чтения и записи благодаря применению нового стандарта высокоскоростного интерфейса HS400. Корпорация Toshiba будет выпускать линейку встраиваемых однокорпусных модулей флэш-памяти NAND объемом от 4 до 128 Гбайт. Все они будут интегрированы с контроллером ... читать далее.