19.01.2016 НовостиSamsung Electronics, второй по величине в мире производитель полупроводников, начал массовое производство модулей памяти стандарта HMB2 объёмом 4 Гб, предназначенных для использования в серверах и для рендеринга графики. Как сообщает компания, пропускная способность памяти HBM2 способна повысить скорость передачи данных в семь раз, что крайне важно для высокопроизводительных вычислений, машинного обучения, обслуживания сетей и серверов. Структура новых микросхем Samsung 4GB HBM2 DRAM состоит из буфера, поверх которого размещено четыре 8-Гбит ядра DRAM-памяти. В каждом из них сделано более 5000 TSV-отверстий — это в 36 с лишним раз больше, чем в самых современных микросхемах 8 Гб TSV DDR4. Благодаря этому существенно повышается производительность передачи данных. Например, в новинках этот показатель достигает 256 Гб/с, в решениях HBM DRAM он заявлен на уровне 128 Гб/с, а для чипов 4 Гб GDDR5 DRAM составляет 36 Гб/с. Также микросхемы Samsung 4GB HBM2 DRAM обладают поддержкой ECC-коррекции и в два раза лучшим показателем пропускной способности на ватт, чем 4-Гбит чипы GDDR5. В результате они обеспечивают не только более надежную и быструю работу, но и требуют меньше энергии. В этом году Samsung планирует начать массовое производство еще и 8-Гб микросхем HBM2-памяти, предназначенных в первую очередь для топовых видеокарт. Samsung является крупнейшим в мире поставщиком чипов памяти и значимую часть своей прибыли в последние годы получает благодаря высокому спросу на мобильные ...
читать далее.
