26.02.2016  Новости, Мобильные и беспроводные решения

Samsung объявила о начале массового производства первых в отрасли микрочипов встраиваемой флэш-памяти ёмкостью 256 Гб, выполненных в соответствии со стандартом UFS 2.0 (Universal Flash Storage). Изделия рассчитаны на мобильные устройства класса high-end. UFS — это спецификация флэш-накопителей для цифровых фотоаппаратов, сотовых телефонов и потребительской электроники. По сравнению с широко используемой памятью eMMC, чипы UFS 2.0 обеспечивают существенное увеличение производительности при одновременном снижении потребляемой энергии. Стандарт UFS 2.0, как и UFS первого поколения, был разработан организацией JEDEC. Он был представлен в 2013 г., спустя два года после запуска UFS 1.0. Основанная на флэш-памяти 3D V-NAND и высокопроизводительном контроллере память UFS 2.0 демонстрирует производительность до 45 000 и 40 000 IOPS на операциях чтения и записи с произвольным доступом, превосходя предыдущее поколение памяти (19 000 и 14 000 IOPS) более чем вдвое. По скорости передачи данных в режиме последовательного чтения Samsung UFS 2.0 приблизительно вдвое превосходит существующие накопители SSD с SATA-интерфейсом для ПК, передавая данные по двум каналам со скоростью 850 Мб/с. Что касается последовательной записи, скорость передачи достигает 260 Мб/с, что примерно втрое больше по сравнению со сменными картами памяти microSD. Благодаря поддержке более высоких скоростей новая память позволяет выполнять одновременно задачи просмотра видео в формате Ultra HD и загрузки видеофайла ... читать далее.