12.03.2014  Новости

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) расширила линейку 24-нм флэш-памяти BENAND с одноуровневыми ячейками (SLC) NAND и встроенным 8-разрядным механизмом коррекции ошибок (ECC). Новые модули SLC BENAND объемом 8 Гбайт позволяют производителям применять 24-нм технологию в устройствах, рассчитанных на использование модулей 4xnm NAND. Это увеличивает срок службы бытовой электроники, мультимедийных устройств, интеллектуальных измерительных приборов и систем освещения, а также промышленного оборудования. Модуль BENAND освобождает главный процессор от нагрузки, связанной с коррекцией ошибок, позволяя конструкторам использовать технологию флэш-памяти NAND. Для облегчения перехода в новом модуле BENAND такие элементы, как размер страницы/блока, размер резервной области, команды, интерфейс и корпус, соответствуют устаревшим модулям 4xnm SLC NAND. Цена изготавливаемой с использованием современных функциональных узлов флэш-памяти NAND снижена, но ячейки уменьшенного размера более уязвимы перед нагрузками при программировании и очистке. Вследствие этого для поддержания желаемых уровней надежности требуется более сложная коррекция ошибок. Например, для модуля малой плотности 4xnm SLC NAND требуется 1-разрядный механизм коррекции ошибок (ECC), а для модуля 2xnm SLC NAND — 8-разрядный. Традиционно механизм коррекции ошибок встраивался в главные контроллеры, что делало переход на новые, более дешевые модули NAND дорогостоящей задачей, так как для достижения требуемого уровня ... читать далее.