06.06.2017 НовостиIBM объявила о создании первых рабочих образцов процессоров с транзисторами размером 5 нм. Разработка велась совместно с компаниями GlobalFoundries и Samsung Electronics. Новая технология позволяет размещать на одном чипе размером с человеческий ноготь до 30 млрд. транзисторов. Разработка чипа заняла примерно два года с того момента, как IBM продемонстрировала 7-нм чип с 20 млрд. транзисторов. Компания обещает не только компактные размеры, но и значительный прирост мощности (на 40%) и эффективности (на 75% при аналогичной производительности) подобных чипов. Как пишет Forbes, чем плотнее транзисторы упакованы на чипе, тем быстрее сигнал может проходить между ними. Благодаря специальным наноструктурам 5-нм транзисторы смогут отправлять электроны из четырех затворов, тогда как у наиболее продвинутой сейчас технологии — FinFET — предусмотрены три затвора. Для производства кремниевых нанолистов IBM собирается применять технологию фотолитографии в глубоком ультрафиолете (extreme ultraviolet lithography, EUV) — ту самую, которую компания использует для тестовых 7-нм полупроводников. «Выход за пределы 7 нм является важным нововведением. Это инновация в конструктивном плане и в том, как все больше транзисторов собираются вместе. Эта структура транзисторов открывает путь к настоящему 5-нм техпроцессу», — заявил вице-президент по исследованиям полупроводниковых технологий IBM Research Мукеша Харе. Сроки производства 5-нм процессоров в промышленных масштабах IBM не раскрывает. Зато ...
читать далее.
