24.08.2015 Новости, Исследования и разработкиКомпания Toshiba Corporation представила новое поколение флэш-памяти с трехмерной (3D) многослойной структурой ячеек BiCS FLASH. Это первое в мире 256-Гбит (32-Гбайт) 48-слойное устройство BiCS, оно использует технологию трехуровневых ячеек (TLC) с тремя битами в каждой ячейке. Поставки ознакомительных образцов начнутся в сентябре. Устройства BiCS FLASH выпускаются на основе современного многослойного технологического процесса с 48 слоями, который обеспечивает увеличение емкости по сравнению с традиционной двумерной флэш-памятью NAND, а также позволяет нарастить количество циклов записи/стирания и повысить скорость записи. Новое устройство емкостью 256 Гбит подходит для бытовых SSD-дисков, смартфонов, планшетных ПК и карт памяти, а также для корпоративных SSD-дисков, используемых в ЦОД. После представления прототипа технологии BiCS FLASH в июне 2007 г. компания Toshiba продолжила разработки в целях оптимизации для серийного производства. Для удовлетворения растущего спроса на рынке флэш-памяти в 2016 г. и с учетом долгосрочной перспективы Toshiba активно стимулирует переход на технологии BiCS FLASH, создавая ассортимент изделий для применения в устройствах большой емкости, таких как SSD-диски. В настоящее время Toshiba готовится к запуску серийного производства устройств BiCS FLASH на новом производственном предприятии Fab2 в промышленной зоне Йоккаити, где в настоящее время размещено производство флэш-памяти NAND ...
читать далее.
