19.07.2022 Новости, Исследования и разработкиБлиже к конце текущего года тайваньский чипмейкер TSMC, ведущий по объемам поставок в мире, запустит в серию литографирование кремниевых пластин по технологическим нормам N3 – 3 нм. Разработанная компанией технология FinFlex позволит заказчикам проектировать микросхемы, в которых разные их узлы будут иметь разные свойства: со сбалансированной производительностью (конфигурация 3-2), энергоэффективные (2-1) или высокопроизводительные (2-2). На нынешнем уровне миниатюризации на разработку и совершенствование микропроцессорных технологий идет все больше времени. Путь от первых экспериментальных установок для техпроцесса N3 потребовал около 2,5 лет, а доведение до готового к коммерческой эксплуатации производства для грядущего 2-нм N2 займет, по оценкам инженеров TSMC, не менее 3 лет. Вместе с тем на протяжении этих лет заказчики продолжат требовать от чипмейкеров поступательного развития технических характеристик СБИС. Понятно, что побудить клиентов к замене еще вполне работоспособных цифровых устройств на новые может лишь зримое улучшение эксплуатационных характеристик: либо производительности, либо энергоэффективности (та же производительность, но удельная, в пересчете на ватт потребляемой мощности), либо, в идеале, того и другого вместе. Процесс N3 строится на базе классической (со времен норм 22 нм) технологии FinFET – трехмерных транзисторов с полевым эффектом (FET), у которых каналы формируются в виде гребней (англ. Fin), а затвор перекрывает эти структуры поперек ...
читать далее.
