15.09.2026 Новости, Здравоохранение, образование, культура, ИБП и электропитание, Консалтинг и системная интеграция, Планирование и проектыСистемный интегратор X-Com завершил проект по установке источника бесперебойного питания для установки молекулярно-пучковой эпитаксии производства АО «НТО» (Россия) в одной из лабораторий Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе. В качестве аппаратной основы были выбраны ИБП от производителя «Бастион». «Лаборатория занимается фундаментальными и прикладными исследованиями по изучению свойств полупроводниковых материалов и выращиванию структур, используемых для создания инновационных продуктов в области микроэлектроники и импортозамещения, — говорит Сергей Сорокин, ведущий научный сотрудник ФТИ им А.Ф. Иоффе. — Метод молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) позволяет выращивать многослойные структуры с контролем толщины слоёв на уровне менее одного мономолекулярного слоя. Типичная скорость роста при МПЭ составляет ~5-10 нанометров в минуту. При условии выращивания структур толщиной в несколько микрометров процесс МПЭ растягивается на многие часы. Для выращивания структур с заданными параметрами критически важным является бесперебойное питание установки МПЭ электроэнергией, так как сбои в питании неизбежно приведут к изменению интенсивностей молекулярных потоков, и, соответственно, к изменению толщин отдельных слоёв. Другими словами, ИБП — критически важное оборудование для всей системы». «У X-Com богатый опыт работы с научными и образовательными учреждениями, а СКС и кабельная инфраструктура одно из наших сильных направлений. Это был интересный проект, который позволил нам ...
читать далее.
