26.06.2001  Новости

     Проблемы с размещением акций на фондовых биржах побуждают высокотехнологические компании приоткрывать завесы своих лабораторий в надежде показать инвесторам, какие заманчивые перспективы открывает наука перед обществом и какими потерями может обернуться неверный выбор. Поводом для анонсов в области микропроцессорных технологий послужил июньский симпозиум по VLSI-технологиям в Киото.В его преддверии IBM объявила о разработке технологии Strained Silicon, позволяющей создавать транзисторы, не уменьшая их размеров, на 35% более быстрые (т. е. с частотой до 4 ГГц; см. www.research.ibm.com/resources/press/strainedsilicon/). Эта технология хорошо стыкуется с уже используемыми, и ее применение обещает дать первые плоды - микропроцесоры - уже в 2003 г. Самый маленький и шустрый кремниевый транзисторКорпорация Intel пошла значительно дальше, объявив о создании самого быстрого транзистора на основе кремния и опубликовав свои планы до 2009 г. В докладе Intel Labs (см. www.intel.com/research/silicon/20nmpressfoils.pdf) Роберт Чау и Джеральд Марчук рассказали о транзисторе размером 20 нм с толщиной затвора в 3 атомных слоя, или 0,8 нм! Он положит начало созданию процессоров с миллиардом транзисторов “на борту”, работающих на частотах до 20 ГГц. Подобные устройства могут появиться уже к 2007 г. Таким образом, действие закона Мура будет продлено, по крайней мере, еще на десятилетие.Чем же планируется занять этот миллиард транзисторов, работающих на запредельных частотах? Авторы ... читать далее.