17.06.2003 НовостиТЕХНОЛОГИИСтрого говоря, закон Мура не относится к законам в научном понимании этого слова. Это скорее эмпирическая зависимость, показавшая свою справедливость в течение трех прошедших десятилетий. Заслуга основателя Intel г-на Гордона Мура состоит в том, что он заметил и сформулировал эту зависимость. Многие специалисты ежегодно предрекают, что процесс совершенствования полупроводникового производства вот-вот упрется в те или иные технологические ограничения, но ученые и инженеры каждый раз находят способы их преодолеть, увеличивая степень интеграции.В последнее время серьезной проблемой для технологов стали утечка тока через канал закрытого транзистора (особенно при десятках миллионов транзисторов на кристалле) и ограничения современного фотолитографического процесса (см. PC Week/RE, № 13/2003, с. 1.). Многие компании работают над означенными проблемами, предлагая переход от традиционных планарных транзисторов к объемным.17 сентября 2002 г. на конференции в г. Нагоя (Япония) корпорация Intel представила свой экспериментальный трехзатворный транзистор (см. рисунки). Пусть это название не вводит вас в заблуждение: затворный электрод у транзистора один, но он ограждает полупроводниковый канал одновременно с трех сторон. В результате достигается более равномерное распределение плотности тока в полупроводнике, что дает запас по масштабируемости. Отмечу, что если в традиционных планарных транзисторах длина затвора примерно в три раза больше его ширины, то в трехзатворном они ...
читать далее.