07.09.2004  Новости

ТЕХНОЛОГИЯКорпорация Intel (www.intel.com) действует как хорошо отлаженный конвейер по разработке и внедрению новых производственных полупроводниковых технологий. Недавно она приоткрыла завесу над деталями грядущего 65-нанометрового техпроцесса для логических схем, который по плану должен сменить 90-нанометровый процесс в 2005 г. При переходе на 65-нанометровую технологию Intel добавит в процессоры восьмой слой металлизацииНесколько слов о применении механически напряженного кремния, увеличивающего быстродействие микросхем. При этом не стоит представлять себе зажатый в тисках или растянутый кристалл микросхемы. Для ускорения работы КМОП-микросхемы p-канальные транзисторы нужно сжимать (в направлении от истока к стоку), а n-канальные, наоборот, растягивать. Как же это делается? В области обоих электродов p-канальных транзисторов имплантируют германид кремния (SiGe), а над затвором n-канального прибора помещают специальную "шапочку" из нитрида кремния SiN. При переходе на технологический процесс 65 нм степень механического напряжения будет увеличена, благодаря чему возрастет выигрыш в быстродействии.Улучшатся и электрические характеристики транзисторов. Так, ток в открытом состоянии возрастет на 10-30% при неизменном токе утечки. Варьируя геометрию транзисторов, создатели микросхем могут снижать энергопотребление без сокращения производительности либо увеличивать скорость работы без изменения энергопотребления. Напряжение питания схем в зависимости от назначения ... читать далее.