12.11.2004 НовостиКомпания Fujitsu Microelectronics Europe начала выпуск энергонезависимой ферроэлектрической памяти (ferroelectric memory – FRAM) емкостью 1 Мбит, отличающейся высокой скоростью выполнения операций чтения-записи и небольшим энергопотреблением. Первую микросхему со встроенной памятью FRAM компания выпустила в 1999-м, и в этом же году она выпустила на рынок появилась энергонезависимую память емкостью 256 кбит. В настоящее время по технологии 0,35 нм 1T1C выпускаются две микросхемы памяти FRAM емкостью 1 Мбит -- MB85R1001 и MB85R1002; первая из которых имеет шину данных 8, а вторая – 16 бит. Применение технологии 1T1C в конструкции ячейки памяти позволило удвоить емкость кристалла по сравнению с ячейкой традиционной 2T2C-технологии при той же площади кремния. Технические характеристики памяти FRAM емкостью 1 Мбит Характеристика MB85R1001 MB85R1002 Организация памяти 128 K 8-разрядных слов 64K 16-разрядных слов Напряжение питания +3,0 --3,6 В -20…+85°C 100 нс 250 нс Больше 10 лет Более 10 млрд. циклов чтения-записи Рабочая температура Время чтения Время цикла чтения-записи ...
читать далее.
