21.06.2005  Новости

Корпорация Ramtron International объявила о начале производства микросхемы FM20L08 ферроэлектрической оперативной памяти (FRAM) ёмкостью 1 Мбит. Её напряжение питания составляет 3,3 В. Она выпускается в миниатюрном тонком плоском 32-контактном пластиковом корпусе. Энергонезависимая память FM20L08 организована как 128K 8-разрядных слов, обращение к ней выполняется так же, как к стандартной статической памяти SRAM. Время доступа составляет 60 нс. У памяти есть постраничный режим, в котором шина работает на тактовой частоте 33 МГц, пересылая данные блоками по 4 байта. У нее нет задержек при записи, так как состояние ячейки становится нулем или единицей сразу, а в памятях других типов сначала её содержимое стирается, а затем происходит запись. Кроме того, у неё нет ограничений по длине буфера. Память допускает неограниченное число перезаписей. Продукт может служить для прямой замены обычной статической асинхронной памяти SRAM и предназначен для применения в системах сбора и хранения данных с нестабильными источниками питания, например в промышленности, автомобильной телемеханике, телевизионных приставках и т. п. Память содержит схему слежения за напряжением питания и в случае падения его ниже допустимого уровня вырабатывает сигнал блокирования записи. В этом случае хранящиеся в ней данные не могут быть изменены. Кроме того, у FM20L08 имеется программно управляемая функция запрета записи. Память логически делится на восемь одинаковых блоков, в каждый из которых можно ... читать далее.