При закупке выделенного ассортимента ИБП CBR Tech на сумму от 30 000 руб., участники акции получают кешбэк 10% от суммы закупки (без НДС). Чтобы получить кешбэк, необходимо выполнить условия программы, зарегистрироваться на сайте, указав свои данные: ФИО, код клиента, должность ...
Скидки на избранный ассортимент мелкой бытовой техники брендов Beko, Bort, Bosch, BQ, Centek, Electrolux, Gorenje, Korting, Kolner, Oral-B, Panasonic, Polaris, Remington, Royal Clima, Samsung, SOLIS, Thomson, Tefal, Ufesa, Zelmer. За подробной информацией по условиям данной программы обращайтесь к ...
Покупайте от 5 штук мониторов брендов Acer, АОС, Phillips, Lenovo за период действия программы и получайте бонус 10%! Для участия в программе необходимо иметь регистрацию в B2B eCom, за подробной информацией по условиям данной программы обращайтесь к менеджерам АБСОЛЮТ
Уважаемые партнеры! Приглашаем вас стать участниками акции «Сказочный маршрут» от вендоров «Лукоморье», TData и «Базальт СПО». По итогам 2026 года все участники, выполнившие условия программы, отправятся в увлекательное путешествие. Знакомьтесь с условиями участия и присоединяйтесь! Даты ...
Уважаемые партнёры! Приглашаем вас принять участие в акции по камерам видеонаблюдения Dahua. Закупайте в Merlion IP-камеры Dahua с технологией WizColor и получите компенсацию до 300 рублей за единицу товара. Период действия акции: 01 – 30 сентября 2026 г. Бонусная таблица и условия – на ...
ТЕХНОЛОГИИКак известно из физики полупроводников, регулируя ширину запретной зоны (она определяется разницей энергетических состояний проводящего и валентного электронов), можно менять быстродействие биполярных транзисторов. Именно этой закономерностью вызван интерес технологов к таким экзотическим полупроводникам, как арсенид галлия и фосфат индия. Однако дороговизна подобных материалов и отлаженность кремниевого техпроцесса заставляют компании находить другие способы сужения запретной зоны. Один из них - применение кремния, легированного германием (SiGe). Установка для эпитаксиального наращивания SiGe на 200 мм пластиныКомпания IBM Microelectronics (www.chips.ibm.com) начала работы над использованием полупроводника SiGe еще в 1995 г. в своем технологическом исследовательском центре в местечке Хоупвэлл Джанкшн, шт. Нью-Йорк. Тогда были получены биполярные транзисторы, способные работать на частоте до 65 ГГц.Поликристаллический слой SiGe образуется на поверхности обычных кремниевых пластин методом низкотемпературной эпитаксии, что позволяет использовать обычную кремниевую КМОП-технологию, совмещая цифровые КМОП-схемы со сверхбыстрыми аналоговыми схемами на биполярных NPN-транзисторах.Технология, названная SiGe BiCMOS, прошла множество стадий усовершенствования, а в начале августа нынешнего года компания IBM Microelectronics объявила о доступности для заказчиков четвертой модификации производственного процесса (SiGe BiCMOS 8HP). В ней проектные нормы снижены со 180 до 130 ... читать далее.
Мы используем cookie-файлы, возможности LiveInternet, Яндекс.Метрики и SberAds для наилучшего представления нашего сайта в соответствии с Политикой обработки персональных данных. Если Вы согласны с этим, пожалуйста, нажмите кнопку «Принять». Продолжая пользоваться сайтом, Вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании сайтом cookie-файлов, LiveInternet, Яндекс.Метрики и SberAds, и согласны с Политикой обработки персональных данных.
