07.10.2005  Новости

Корпорация Seiko Epson разработала статическую память (SRAM) объемом 16 Кб на гибкой пластиковой подложке. Прототип гибкой памяти Для ее изготовления была использована запатентованная ранее технология SUFTLA, обеспечивающая перенос микросхемы памяти, сформированной на стеклянной подложке по технологии низкотемпературного поликристаллического кремния (Si TFT), на гибкую подложку. Каждая ячейка памяти, выполненная по 3-мкм технологическим нормам, состоит из шести транзисторов и имеет размер 68х47,5 мкм. Для уменьшения времени доступа к памяти усилители сигналов считывания сформированы на одной с нею подложке. При напряжении питания 6 В время чтения составляет 200, а записи — 100 нс. Если напряжение питания уменьшить до 3 В, время чтения увеличится до 650 нс, а записи — до 325 нс.Память SRAM имеет размер 10,77х8,28 мм и толщину 200 мкм. По заявлению компании, это “первая в мире гибкая статическая память SRAM, изготовленная по технологии низкотемпературного поликристаллического кремния Si TFT.” Ранее по технологии SUFTLA Seiko Epson были изготовлены гибкая электронная бумага и гибкий 8-разрядный микропроцессор. Компания продемонстрировала работу этого гибкого процессора с гибкой же памятью, которая ... читать далее.