09.12.2010 НовостиКомпания Samsung Electronics объявила, что в ноябре ей удалось разработать и начать производство образцов первой в отрасли 4-гигабитной цельной памяти LPDDR2 DRAM с использованием технологии класса 30 нм. Она будет использоваться в мобильных приложениях верхнего сегмента, таких как смартфоны и планшетные ПК. Новая память 4Gb LPDDR2 DRAM обеспечивает скорость передачи данных до 1066 Мбит/с, что приближает ее по показателям производительности к памяти для компьютерных приложений. Это более чем в два раза превосходит производительность предыдущего поколения мобильной памяти DRAM – MDDR, которое обеспечивает скорость передачи данных от 333 Мбит/с до 400 Мбит/с. Чтобы удовлетворить постоянно растущие потребности потребителей в функциях мобильных приложений, современные чипы памяти должны обеспечивать как высокую производительность, так и высокую плотность записи данных. Компания Samsung начнет производство образцов чипов 8Gb LPDDR2 DRAM, объединяя два 4-гигабитных чипа в один модуль, так как прогнозируется, что память 8Gb начнет широко применяться на рынке мобильной памяти DRAM в следующем году. Сегодня в решении 8Gb (1 Гбайт) используется четыре чипа 2Gb. Благодаря новой памяти Green 4Gb LPDDR2 толщина модуля будет на 20% меньше (0,8 мм и 1,0 мм соответственно), что позволит на 25% снизить энергопотребление по сравнению с предыдущим модулем 8Gb, в котором использовались четыре чипа 2Gb. Это дает возможность создавать более тонкие и легкие мобильные устройства с более ...
читать далее.
