22.06.2011  Новости

Как объявила компания Samsung Electronics, она первой в отрасли начала серийное производство 32-Гбайт модулей памяти, применяемых в облачных вычислениях и современных серверных системах, на базе чипов DDR3 DRAM 4 Gb класса 30 нм. Эти чипы обеспечивают рост производительности около 50% по сравнению с моделями 4Gb DDR3 класса 40 нм. Компания Samsung начала производство монолитных устройств 4Gb DDR3 DRAM на базе технологического процесса класса 30 нм в феврале, причем с начала производства устройств 4Gb DDR3 DRAM класса 40 нм прошел только год. Спустя два месяца компания начала поставки модулей 16 Гбайт ряду производителей серверных систем. Теперь Samsung может предлагать решения DRAM класса 30 нм, предназначенные для устройств любого типа: от мобильных устройств до корпоративных серверных систем. Новые модули RDIMM 32 Гбайт 1,35 В обеспечивают производительность 1866 Мбит/с, что на 40% больше по сравнению с предшественниками (1333 Мбит/с), причем энергопотребление уменьшилось на 18%. Samsung прогнозирует, что более 10% из общего объема произведенных компанией чипов DRAM в 2012 г. будут составлять чипы памяти с плотностью 4 Гбайт или выше. По мнению IHS, поставки памяти DRAM 4 Гбайт будут составлять приблизительно 10% от общих поставок решений DRAM в 2012 г., 35% – в 2013 г. и 57% – в 2014 г. Кроме того, Samsung планирует начать поставки более энергоэкономичных модулей памяти 4 Gb DDR3 DRAM на базе технологического процесса класса 20 нм во втором полугодии этого ... читать далее.