12.12.2012 НовостиЯпонская Toshiba разработала маломощные и высокоскоростные версии MRAM-чипов, которые, как уверяет производитель, могут снизить энергопотребление в мобильных процессорах до 75%. Новые модули памяти MRAM (magnetoresistive random access memory) могут использоваться в смартфонах как кэш-память для мобильных микропроцессоров, а со временем и полностью заменить используемую сейчас SRAM-память. Toshiba считает, что современные смартфоны используют все большие объемы памяти формата SRAM, хотя изначально этот формат не предусматривал пониженного энергопотребления, поэтому потребление энергии в современных смартфонах и планшетах стремительно растет, несмотря на все технологические ухищрения, связанные со снижением уровня потребления микропроцессоров. Формат памяти MRAM использует магнитный принцип хранения битов, тогда как современная оперативная память SRAM полагается на электрический принцип. В отличие от SRAM-памяти, теряющей хранящуюся информацию при отсутствии электричества, MRAM является энергонезависимым форматом, что, кроме прочего, подходит для быстрого запуска устройств. Кроме того, в отличие от флэш-памяти, характеристики MRAM не ухудшаются за время эксплуатации. Иными словами, MRAM совмещает достоинства динамической и флэш-памяти. Toshiba разрабатывает MRAM-память, базирующуюся на технологии переключения с помощью переноса спина (Spin-Transfer Torque, STT). Эта методика призвана решить проблемы, с которыми технология MRAM будет сталкиваться при увеличении плотности ...
читать далее.
