02.12.2003  Мнения

Корпорация Intel (www.intel.com) изготовила полнофункциональные микросхемы статической оперативной памяти SRAM, использовав технологический процесс с проектной нормой 65 нм. Массовое производство микросхем по этому технологическому процессу на 300-миллиметровых подложках начнется в 2005 г.Объем памяти - 4 Мбит, каждый бит занимает площадь 0,57 мкм2 и содержит шесть КМОП-транзисторов с затвором длиной в 35 нм. Это самые маленькие и самые быстродействующие транзисторы, используемые в массовом производстве. Транзисторы, применяемые при изготовлении процессора Pentium 4, имеют длину затвора 50 нм.В новом техпроцессе применяется так называемый напряженный кремний, что позволяет повысить рабочие токи транзисторов и их быстродействие при увеличении себестоимости изготовления на 2%, медные соединения и новый диэлектрик с низкой диэлектрической проницаемостью. Новый процесс также предусматривает использование восьми слоев медных соединений и нового диэлектрического материала, благодаря чему повышается скорость распространения сигналов в кристалле и снижается энергопотребление процессора.Полупроводниковые компоненты на базе 65 нм технологического процесса были изготовлены на опытном заводе D1D корпорации Intel по обработке 300-миллиметровых подложек в Хиллсборо (шт. Орегон), где этот технологический процесс и был разработан. D1D - самый современный завод корпорации, обладающий самой большой среди производств Intel единой "чистой комнатой" площадью более 16 тыс. кв ... читать далее.