20.08.2022 Новости, Исследования и разработкиНа проходившей в Калифорнии в начале августа конференции Flash Memory Summit было представлено несколько новых решений в области твердотельной памяти. Так, компания Samsung Electronics рассказала о своей разработке твердотельных накопителей Memory-semantic SSD, которые, как утверждается, сочетают преимущества запоминающих устройств и оперативной памяти DRAM. Как разъясняет Samsung, эти накопители используют высокоскоростные интерконнекты Compute Express Link (CXL) и встроенную память DRAM, что позволяет улучшить скорость выборочного чтения данных и уменьшить задержки доступа данным до 20 раз по сравнению с обычными твердотельными дисками. Накопители Memory-semantic SSD оптимизированы для максимальной скорости чтения и записи небольших блоков данных и поэтому, как считают в Samsung, великолепно подойдут для приложений искусственного интеллекта и машинного обучения, которым выполняют быструю обработку множества таких блоков. Хотя в ходе презентации Samsung были продемонстрированы фото двух накопителей Memory-semantic SSD, никаких технических деталей и сроков начала производства компания не привела. А корпорация Kioxia (бывшая Toshiba Memory) предварительно анонсировала новое поколение своей твердотельной памяти XL-FLASH, которая использует ее фирменную технологию BiCS FLASH 3D и позиционируется как решение класса Storage Class Memory (SCM). Благодаря новому функционалу multi-level cell (MLC), позволяющему записывать в ячейку памяти два бита вместо одного, новое поколение ...
читать далее.
