17.04.2006  Продукты, Исследования и разработки

В начале года корпорация Intel (http://www.intel.com) объявила о том, что стала первой в мире компанией, достигшей важного этапа в развитии 45-нм технологии производства интегральных микросхем. Intel создала первую в мире полностью работоспособную микросхему статической памяти (SRAM, Static Random Access Memory), изготовленную по данной новейшей технологии массового производства полупроводниковых компонентов. Этот результат подтверждает планы корпорации начать производство микросхем по 45-нм производственной технологии с использованием 300-мм подложек в 2007 г., а также ее намерение поддерживать закон Мура, внедряя производственные процессы новых поколений каждые два года. Сегодня Intel лидирует в отрасли по массовому выпуску полупроводниковых компонентов с использованием 65-нм производственной технологии. Две фабрики в США (в штатах Аризона и Орегон) уже работают по этой технологии, еще две фабрики — в Ирландии и штате Орегон — вступят в строй в этом году. 45-нм производственная технология позволит Intel выпускать микросхемы, ток утечки в которых снижен более чем в пять раз по сравнению с выпускающимися сейчас микросхемами. Это, в свою очередь, увеличит время автономной работы мобильных устройств, а также откроет новые возможности для создания компактных платформ с расширенной функциональностью. Микросхема статической памяти, изготовленная по 45-нм производственной технологии, содержит более 1 млрд транзисторов. Несмотря на то что устройство не относится к конечной ... читать далее.