24.11.2016 Новости, Мобильные и беспроводные решенияQualcomm на прошлой неделе анонсировала выпуск в первой половине 2017 г. нового флагманского процессора для мобильных устройств на базе 10-нм техпроцесса FinFET. Однако подробной информации о Snapdragon 835 представлено не было, не считая номера модели MSM8998. Предполагаемые спецификации появились на китайском сайте Anzhuo вместе со сведениями о неанонсированном чипе Snapdragon 660. Если верить этой информации, то Snapdragon 835 получит восемь процессорных ядер Kryo 200. Основой графической подсистемы послужит высокопроизводительный контроллер Adreno 540. Говорится о возможности использования оперативной памяти LPDDR4X-1866 и флэш-памяти UFS 2.1. Встроенный модем X16 LTE обеспечит обмен данными в сотовых сетях четвёртого поколения со скоростью до 1 Гбит/с. SoC Snapdragon 660 придёт на замену системе Snapdragon 652, которая хотя и предоставляет достаточно производительности для любых задач, производится по уже несколько устаревшему 28-нм техпроцессу. Snapdragon 660 же будут выпускать по нормам 14 нм. В его конфигурацию также войдут восемь ядер Kryo (4+4). Возможно, на самом деле в обоих случаях имеется в виду наличие четырёх ядер Kryo и четырёх менее производительных эталонного дизайна ARM (к примеру, Cortex-A53). Частоты составят 2,2 ГГц для старшего кластера и 1,9 ГГц для младшего. Источник уточняет, что есть вероятность, что Snapdragon 660 будет включать четыре ядра Cortex-A73 и четыре Cortex-A53. За графическую составляющую будут отвечать GPU Adreno 512. Также ...
читать далее.
