20.04.2017 Новости, Мобильные и беспроводные решенияКак и все контрактные производители полупроводниковых изделий, Samsung непрерывно совершенствует литографические технологии. На этой неделе компания сообщила о завершении квалификационных процедур в отношении второго поколения 10-нм техпроцесса, которое получил условное обозначение 10LPP (Low Power Plus). Заявлено, что новая версия техпроцесса позволяет поднять быстродействие транзисторов на величину до 10% и снизить уровень энергопотребления на величину до 15% по сравнению с 10-нм техпроцессом первого поколения (10LPE). Samsung выпустила несколько мобильных чипов на базе 10LPE. В частности, этот техпроцесс стал основой для производства чипа для Galaxy S8. Компания освоила 10LPE с использованием технологии FinFET в октябре прошлого года. В производстве 10-нм чипов применяется метод тройного структурирования, то есть контур схемы трижды рисуется на плате перед нарезкой. Это помогает преодолеть масштабное ограничение при создании небольших по размеру схем. Технология FinFET основана на использовании в микросхемах трехмерного затвора, имеющего форму плавника. Это позволяет повысить ширину затвора при сохранении площади ячейки. На основе FinFET производятся так называемые объемные транзисторы. Samsung с начала 2015 г. выпускает чипы на базе технологии FinFET с затвором 14 нм. Это позволило бренду начать применять решения премиального уровня в бюджетных устройствах. Первым чипом Samsung на базе 10LPE стал Exynos 9 Series 8895. Процессор содержит восемь вычислительных ядер. Это ...
читать далее.
