29.07.2015 Новости, Исследования и разработкиКомпании Intel и Micron Technology начинают производство нового класса памяти по технологии 3D XPoint. Это энергонезависимая память, объединяющая в себе все преимущества технологий производства памяти, доступных на рынке. Она отличается высокой производительностью и плотностью размещения компонентов, низким энергопотреблением и доступной ценой. Эта технология до 1000 раз быстрее и имеет до 1000 раз более длительный срок службы по сравнению с памятью NAND. Кроме того, плотность размещения компонентов у нее в 10 раз выше по сравнению с обычной памятью – благодаря разработанным компаниями уникальным композитным материалам и специальной архитектуре. Инновационная перекрестная архитектура создает трехмерную «шахматную доску», на которой ячейки памяти размещаются на пересечении числовых линий и разрядных линий, что позволяет выполнять адресацию в независимом порядке. В результате данные могут записываться и считываться небольшими размерами, что приводит к более быстрому и эффективному процессу чтения/записи. Характеристики технологии 3D XPoint: • Крестообразная структура – перпендикулярные проводники объединяют 128 млрд ячеек памяти. Каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных. Это позволяет добиться высокой скорости работы и высокой плотности. • Многослойность – помимо расположения в крестообразной структуре ячейки памяти размещаются в несколько слоев. Изначальная технология позволяет хранить 128 Гбайт на один кристалл для двух слоев памяти ...
читать далее.
