04.03.2010 Новости, Исследования и разработкиПо данным аналитической компании DRAMexchange, в прошлом году рынок флэш-памяти, на котором после довольно долгого спада началось некоторое восстановление, делили между собой шесть игроков. Неизменным лидером здесь пока оставалась Samsung Electronics, но уже вплотную за ней следовала Toshiba. Борьба за третье место развернулась между Hynix и Micron Technology, а замыкали «великолепную шестерку» Intel и Numonix (в начале 2010 г. достигнуто соглашение о ее приобретении компанией Micron Technology). Речь в данном случае идет о рынке NAND-устройств. Как известно, энергонезависимая флэш-память используется довольно широко, поскольку хранимые данные сохраняются и при выключенном электропитании. Эта память хранит информацию в массиве транзисторов с «плавающим» затвором, называемых ячейками. В устройствах с одноуровневыми ячейками SLC (Single-Level Cell) каждая така ячейка может хранить только один бит данных. Многоуровневые ячейки MLC (Multi-Level Cell), в свою очередь, могут хранить больше одного бита, используя разный уровень электрического заряда на «плавающем» затворе транзистора. В основе флэш-памяти NAND-типа лежит логический элемент И-НЕ (NAND). Странично-организованная NAND-память схожа с устройствами хранения блочного типа, к которым, например, относятся дисковые накопители. Именно такие микросхемы используются в картах памяти и твердотельных накопителях SSD. В основе флэш-памяти NOR лежит логический элемент ИЛИ-НЕ (NOR). Устройства подобного ...
читать далее.
