30.03.2021 Продукты, Компьютеры, ноутбуки и КПК, Корпоративный рынокКомпания Samsung Electronics представила модуль DDR5 объемом 512 Гб на базе технологии High-K Metal Gate (HKMG). Производительность DDR5 более чем в двое выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 Мбит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных. В разработке новой памяти участвовали инженеры компании Intel. Память Samsung DDR5 объединяет восемь слоев микросхем DRAM емкостью 16 Гб, обеспечивая максимальную емкость 512 Гб. Для этого используется технология вертикальных межсоединений (through-silicon via, TSV), которая впервые была задействована в DRAM в 2014 г. в серверных модулях Samsung емкостью до 256 Гб. Известно, что при сокращении размеров структур DRAM изоляционный слой становится тоньше, что приводит к большей утечке тока. Для компенсации этого эффекта в DDR5 от Samsung будет использоваться передовая технология HKMG, которая традиционно применяется в логических полупроводниках и была впервые использована в памяти Samsung GDDR6 в 2018 г. Благодаря замене изолятора на материал HKMG, память DDR5 от Samsung сокращает утечки и способна обеспечить более высокую производительность. Новая память также будет потреблять примерно на 13% меньше энергии, что делает ее особенно подходящей для ...
читать далее.
