15.07.2015 Новости, Исследования и разработкиИсследовательская лаборатория IBM объявила о важном достижении в разработке новейшей полупроводниковой продукции, представив первый тестовый чип, выполненный по технологии 7 нм с функциональными транзисторами. Новый чип разработан IBM в сотрудничестве с Globalfoundries, Samsung и STMicroelectronics на территории Центра исследования нанотехнологий Политехнического института при Университете штата Нью-Йорк. Технология позволит размещать на одном чипе размером с ноготь до 20 млрд транзисторов и использовать их во множестве устройств: от смартфонов до космических кораблей. Для создания чипа по 7-нм технологии с более высокими показателями производительности, низким энергопотреблением и улучшенным масштабированием исследователям пришлось отказаться от традиционных методов производства полупроводниковой техники. В разработке наночипа использованы такие инновации, как кремний-германиевые (SiGe) канальные транзисторы и многоуровневая экстремальная ультрафиолетовая (ЭУФ) литография, которые были впервые применены исследовательским центром IBM Research с партнерами. Создание новых наночипов стало результатом инвестиций объемом в $3 млрд, которые в течение пяти лет, начиная с 2014 г., компания планирует вложить в научные исследования и разработку чипов. Открытие также стало возможным благодаря партнерству IBM и правительства штата Нью-Йорк и производственному альянсу, в который вошли IBM, Globalfoundries, Samsung, STMicroelectronics и другие поставщики оборудования. Сегодня ...
читать далее.
