02.08.2022 Новости, Исследования и разработкиШироко употребляемые сегодня обозначения технологических норм изготовления полупроводниковых микросхем, такие как 7 нм, 5 нм, 3 нм и т. д., – не более чем маркетинговые наименования. По объективным причинам фотолитография не позволяет выйти при формировании полупроводниковых кристаллов на подлинно измеряемый единицами нанометров уровень детализации. Зато просвечивающая электронная микроскопия – позволяет; правда, пока что от серийного массового производства эта технология чрезвычайно далека. Команда исследователей из Международного центра наноархитектоники материалов (WPI-MANA) недавно сообщила о создании первого в мире по-настоящему наноразмерного транзистора с характерной длиной канала (расстоянием от истока до стока заряда) 2,8 нм. Достигнут этот уровень миниатюризации был фактически вручную, с применением так называемых металлических углеродных нанотрубок и просвечивающего электронного микроскопа (ПЭМ). Металлическими эти трубчатые структуры из атомов углерода называются потому, что проводят электрический ток при низких температурах, как и обычные металлы (полупроводниковые же углеродные нанотрубки, напротив, при охлаждении теряют проводящие свойства). Как именно будет вести себя нанотрубка, определяет геометрия ее стенок. Грубо говоря, в исходном состоянии углеродная нанотрубка демонстрирует те же проводящие свойства, что и металл, но если ее деформировать – сдавить, скрутить, – то начинает вести себя как полупроводник. А это значит, что если включить нанотрубку ...
читать далее.
