07.04.2009 Новости, Исследования и разработкиКорпорация IBM уже многие годы остается лидером исследований и разработки технологий в области полупроводников. Благодаря созданию новых материалов и технологических процессов производства микросхем — от базовых «строительных блоков» для микросхем динамической оперативной памяти DRAM до самых современных полупроводниковых приборов, таких как микропроцессор Cell, — электронные устройства стали более компактными, быстродействующими и энергосберегающими. Среди достижений корпорации — выпуск первых кристаллов с медными проводниками внутренних межсоединений; улучшение производительности транзистора путем применения технологии «кремний на изоляторе» (silicon-on-insulator, SOI); разработка технологии «напряженного кремния» (strained silicon) и кремниево-германиевой (SiGe) технологии производства микросхем; разработка фотолитографических процессов и материалов. Лидерство на этом высокотехнологичном направлении признается за IBM еще с 2005 г., когда корпорация за свою многолетнюю успешную деятельность по развитию и совершенствованию полупроводниковой техники была награждена медалью National Medal of Technology — высшей государственной наградой США в области инновационных технологий. Повторное использование полупроводниковых пластин Одна из самых серьезных проблем, стоящих перед гелиоэнергетической промышленностью, — нехватка кремния, угрожающая остановить ее быстрый рост. Вот почему эксперты советуют обратить внимание на отбракованные кремниевые материалы ...
читать далее.
