17.06.2021 Экспертиза, Компьютеры, ноутбуки и КПКРост оптовых цен на микросхемы оперативной памяти DRAM — один из наиболее серьёзных вызовов для производителей смартфонов, которым ради удержания цены готового изделия на приемлемом для потребителя уровне приходится жертвовать какими-то иными рабочими параметрами (качеством матрицы и разрешением дисплея, например). Особенно ощутим этот вызов в подсегменте 5G-смартфонов среднего диапазона цен, наиболее «горячем» на нынешнем рынке сотовых аппаратов. Здесь конкуренция чрезвычайно высока, буквально каждый доллар имеет значение, и одно удачное (как и неудачное) инженерное решение способно кардинальным образом повлиять на занимаемую тем или иным вендором долю рынка. Предложенное инженерами Samsung решение — комбинированная микросхема, содержащая в едином корпусе габаритом 11,5×13,0 мм модули памяти LPDDR5 DRAM и UFS 3.1 NAND, — представляется как раз весьма удачным. В июне предсерийные образцы новинки были отправлены целому ряду смартфонных вендоров для испытаний, и, скорее всего, до конца года на рынке могут появиться новые аппараты с такими многокристальными модулями (multichip package, uMCP). Один модуль может содержать от 6 до 12 Гбайт DRAM с пропускной способностью 25 Гбайт/с (против характерных для LPDDR4X 2.2 17 Гбайт/с) и от 128 до 512 Гбайт NAND с производительностью 3 Гбайт/с (практически вдвое выше, чем у чипов предшествующего поколения). Высокие скорости обмена данными, характерные для передовых приложений в сетях 5G (таких как виртуальная и ...
читать далее.
