17.01.2014  Новости, Мобильные и беспроводные решения

Компания Samsung Electronics анонсировала первый в истории 8-Гбит чип DRAM-памяти LPDDR4 для смартфонов и планшетов. «Новое поколение чипов памяти, поддерживающих интерфейс LPDDR4, вносит весомый вклад в развитие мирового рынка мобильной DRAM-памяти, так как вскоре стандарт LPDDR4 станет преобладающим, — говорит Ян-Хьюн Джун (Young-Hyun Jun), исполнительный вице-президент направления продаж и маркетинга компьютерной памяти Samsung Electronics. — Мы продолжим представлять самые продвинутые модули DRAM-памяти, которые на шаг опережают другие продукты, что позволяет производителям оборудования своевременно выпускать инновационные мобильные устройства для пользователей». Новый 8-Гбит высокоскоростной чип DRAM-памяти LPDDR4 обеспечивает высокий уровень производительности и энергоэффективности, гарантируя быструю работу мобильных приложений, а также эффективное использование в мобильных устройствах экранов со сверхвысоким разрешением при одновременной минимизации энергопотребления. 8-Гбит чип LPDDR4 сделан по 20-нм техпроцессу и имеет самый высокий показатель плотности хранения данных среди чипов памяти на сегодняшний день. Благодаря четырем чипам по 8 Гбит, собранным в одном корпусе, производители мобильных устройств получают возможность установки сразу 4 Гб оперативной памяти LPDDR4 одним модулем. Это позволит мобильным устройствам достичь новых высот производительности, не жертвуя при этом ни габаритами, ни энергопотреблением. Стоить отметить, что память Samsung 8 Гбит LPDDR4 ... читать далее.