02.08.2018  Новости

Несмотря на регулярное появление новых технологий хранения данных, флэш-память, по крайней мере, в ближайшие несколько лет продолжит удерживать позиции в качестве доминирующего типа твердотельной памяти (solid-state memory). Тем временем индустрия по производству носителей данных начинает осваивать новые виды памяти. В недавнем исследовании рынка, проведенном аналитическими компаниями Coughlin Associates и Objective Analysis, говорится, что в ближайшие несколько лет производители приступят к выпуску многослойной флэш-памяти 3D X-Point, разработанной Intel и Micron, что приведет к снижению производства DRAM (динамическая память с произвольным доступом). Одновременно с этим память типа STT MRAM (магниторезистивная оперативная память с произвольным доступом) повлияет на рынок памяти типа SRAM (статическая память с произвольным доступом), флэш-памяти NOR и некоторых типов DRAM. В отчете также говорится, что потенциальной заменой флэш-памяти в ближайшие десять лет готовится стать резистивная память RAM (ReRAM). Прогнозируемый рост производства и темпы развития новых видов памяти приведут к снижению цен, что резко повысит конкурентоспособность энергонезависимой памяти по сравнению с энергозависимой. «Переход к энергонезависимой памяти и кэш-памяти напрямую уменьшает потребление энергии, гарантирует более быстрое аварийное восстановление, позволяет применять новые режимы энергосбережения и стабильные компьютерные архитектуры, которые сохраняют свое состояние даже при отключенном ... читать далее.