26.08.2016 НовостиУже становится очевидным, что, хотя обычная память DRAM просуществует на рынке еще достаточно долго, будущее будет принадлежать многослойной памяти — HBM и другим аналогичным технологиям. Традиционная память состоит из чипов RAM, максимально близко помещённых к центральному и графическому процессорам. В HBM память располагается слоями один поверх другого, с вертикальными соединениями TSV между ними. Далее эта память помещается внутрь корпуса, что сокращает занимаемое ею место (в результате чего можно выпускать компактные видеокарты типа Fury Nano), а заодно повышается ее пропускная способность. Память HBM2 — пока новый, дорогой продукт, выпускающийся в недостаточно больших для рынка количествах. Ее производство в первом квартале нынешнего года освоила Samsung; другой производитель памяти из Южной Кореи, SK Hynix, запаздывает и только планирует начать выпуск своего варианта HBM2 в текущем квартале. Тем временем компания Samsung на конференции Hot Chips в Купертино рассказала о памяти HBM третьего поколения, обладающей рядом улучшений по сравнению с продуктами предшествующих поколений. Она будет дешевле в производстве, что должно поспособствовать более широкому ее распространению в устройствах, а ее максимальная емкость вырастет до 16 Гб (у HBM2 она вдвое меньше) благодаря использованию восьмислойной структуры. Кроме того, у HMB3 ниже рабочее напряжение, чем у HBM2, и вдвое выше максимальная пропускная способность — до 512 Гб/с на один слой. Несмотря на это, есть ещё ряд ...
читать далее.
