Уважаемые партнеры! Приглашаем принять участие в маркетинговой акции «Вкусные условия». Участвующие бренды: Vitek, Hyundai, Rondell, Starwind. Фокусные продукты: вафельницы, тостеры, сэндвичницы, хлебопечи, кофемашины, электрические турки, капельные и рожковые кофеварки. Период действия акции: с ...
Уважаемые партнеры! Приглашаем вас принять участие в промопрограмме на всю линейку продукции Patriot. Закупая оборудование Patriot, вы накапливаете бонусы. По итогам акции накопленные бонусы выдаются в виде подарочных сертификатов различных розничных сетей по вашему выбору
Получите кешбэк 5% на закупку новых моделей мини-ПК CBR до 15 декабря^ Артикул 11039713 CBR DT-001 Артикул 11039714 CBR DT-002 Артикул 11111883 CBR DT-007 Артикул 11113650 CBR DT-008 В течение 10 дней после отгрузки заполните форму регистрации, указав свои данные: ФИО, код клиента, должность ...
В состязание в микромире включился очередной игрок Тайваньская компания Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC), один из крупнейших контрактных производителей полупроводниковой продукции (для NVIDIA, ATI и др.), объявила о разработке 32-нм технологии с поддержкой как аналогового, так и цифрового функционала микрочипов. Одновременно TSMC анонсировала выпуск созданной по 32-нм технологии опытной партии кристаллов полнофункциональной статической памяти с произвольным доступом объемом 2 Мб. Таким образом, обозначился еще один крупный игрок в гонке за лидерство на 32-нм поле (см. pcweek.ru/themes/detail.php?ID=105286). В отличие о своих конкурентов в этой области TSMC при создании новой 32-нм технологии не стала менять в транзисторном затворе материал, а для уменьшения тока утечки применила напряженный кремний. Главным же отличием решения TSMC является применение иммерсионной фотолитографии с двойным экспонированием (с двойным фотошаблоном). С помощью метода 193-нм иммерсионной фотолитографии в TSMC получена 0,15-мкм ячейка памяти SRAM высокой степени интеграции. В основе литографии с двойным экспонированием и двойным шаблоном (double exposure and double patterning, DE/DP) лежит вытравливание слоя фоторезиста путем последовательного использования двух фотомасок, формирующих смежные элементы. Освоение технологии двойного экспонирования было предусмотрено в 2006 г. программой отраслевого форума ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) как возможное решение ... читать далее.
