До 30 апреля получайте бонус 1 000 рублей за каждые 30 000 рублей закупки продукции Defender! Для участия в программе необходимо иметь партнёрскую регистрацию в B2B eCom, за подробной информацией по условиям данной программы обращайтесь к менеджерам АБСОЛЮТ
До 31 марта покупайте любые товары Patriot и получайте оборотный бонус 5% на сумму перевыполнения плана закупки! Для участия в программе необходимо иметь регистрацию в B2B eCom, за подробной информацией по условиям данной программы обращайтесь к менеджерам АБСОЛЮТ
Уважаемые партнеры! Treolan приглашает вас принять участие в маркетинговой программе. Закупая участвующие в акции ноутбуки, вы получаете сумку для ноутбука IRBIS в подарок. Для участия в программе необходимо зарегистрироваться
В течение всего гарантийного срока, при обращении в наш сервисный центр, вышедший из строя ИБП CyberPower до 3 КВт включительно, будет заменен на новое устройство в день обращения (сумма восстановлена на балансе). Акция действует до конца 2026 г
Получи кешбэк на счет при покупке товаров EasyPrint и Т2: Сумма отгрузки, в руб. и % кешбэка: от 10 000 до 50 000 руб. - 2% от 50 001 до 75 000 руб. - 4% от 75 001 руб. и выше - 5% Чтобы получить приз, вам необходимо выполнить условия программы, а также зарегистрироваться, указав ...
В состязание в микромире включился очередной игрок Тайваньская компания Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC), один из крупнейших контрактных производителей полупроводниковой продукции (для NVIDIA, ATI и др.), объявила о разработке 32-нм технологии с поддержкой как аналогового, так и цифрового функционала микрочипов. Одновременно TSMC анонсировала выпуск созданной по 32-нм технологии опытной партии кристаллов полнофункциональной статической памяти с произвольным доступом объемом 2 Мб. Таким образом, обозначился еще один крупный игрок в гонке за лидерство на 32-нм поле (см. pcweek.ru/themes/detail.php?ID=105286). В отличие о своих конкурентов в этой области TSMC при создании новой 32-нм технологии не стала менять в транзисторном затворе материал, а для уменьшения тока утечки применила напряженный кремний. Главным же отличием решения TSMC является применение иммерсионной фотолитографии с двойным экспонированием (с двойным фотошаблоном). С помощью метода 193-нм иммерсионной фотолитографии в TSMC получена 0,15-мкм ячейка памяти SRAM высокой степени интеграции. В основе литографии с двойным экспонированием и двойным шаблоном (double exposure and double patterning, DE/DP) лежит вытравливание слоя фоторезиста путем последовательного использования двух фотомасок, формирующих смежные элементы. Освоение технологии двойного экспонирования было предусмотрено в 2006 г. программой отраслевого форума ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) как возможное решение ... читать далее.
Мы используем cookie-файлы, возможности LiveInternet, Яндекс.Метрики и SberAds для наилучшего представления нашего сайта в соответствии с Политикой обработки персональных данных. Если Вы согласны с этим, пожалуйста, нажмите кнопку «Принять». Продолжая пользоваться сайтом, Вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании сайтом cookie-файлов, LiveInternet, Яндекс.Метрики и SberAds, и согласны с Политикой обработки персональных данных.
