Уважаемые партнёры! Приглашаем принять участие в акции «Базальт СПО: старт продаж для новых партнёров» — специально для партнёров, у которых не было закупок Базальт СПО в 2026 году. Зарабатывайте баллы за оборот и обменивайте их на электронные сертификаты популярных федеральных сетей! Для участия в ...
Покупайте выделенный ассортимент товаров по специальным ценам! *За подробной информацией по условиям данной программы необходимо связаться с менеджером компании АБСОЛЮТ
Покупайте материнские платы Gigabyte и получайте бонус по схеме: 50 000 – 99 999 - 4,5% 100 000 – 299 999 - 5% от 300 000 и более - 5,5% Внимание! Бюджет программы ограничен, акция может быть закончена раньше заявленного срока. Чтобы получить бонус, необходимо выполнить ...
Уважаемые партнёры! Приглашаем принять участие в акции «Кешбэк 100%». Закупайте в Merlion мониторы брендов Bloody, DIGMA, DIGMA PRO и получите 100% кешбэк за каждое десятое устройство! В списке акционных товаров – более 40 позиций мониторов диагональю от 21,5" до 39,7". Период ...
С 15 мая по 15 июня 2026 года InFocus проводит промо программу по популярным проекторам. На ряд ключевых моделей серий Genesis III и Genesis IV при покупке в ДНС, Citilink, Комус, ОнлайнТрейд и других розничных точках действует специальное предложение. Модели, участвующие в акции: IN0002SL ...
В состязание в микромире включился очередной игрок Тайваньская компания Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC), один из крупнейших контрактных производителей полупроводниковой продукции (для NVIDIA, ATI и др.), объявила о разработке 32-нм технологии с поддержкой как аналогового, так и цифрового функционала микрочипов. Одновременно TSMC анонсировала выпуск созданной по 32-нм технологии опытной партии кристаллов полнофункциональной статической памяти с произвольным доступом объемом 2 Мб. Таким образом, обозначился еще один крупный игрок в гонке за лидерство на 32-нм поле (см. pcweek.ru/themes/detail.php?ID=105286). В отличие о своих конкурентов в этой области TSMC при создании новой 32-нм технологии не стала менять в транзисторном затворе материал, а для уменьшения тока утечки применила напряженный кремний. Главным же отличием решения TSMC является применение иммерсионной фотолитографии с двойным экспонированием (с двойным фотошаблоном). С помощью метода 193-нм иммерсионной фотолитографии в TSMC получена 0,15-мкм ячейка памяти SRAM высокой степени интеграции. В основе литографии с двойным экспонированием и двойным шаблоном (double exposure and double patterning, DE/DP) лежит вытравливание слоя фоторезиста путем последовательного использования двух фотомасок, формирующих смежные элементы. Освоение технологии двойного экспонирования было предусмотрено в 2006 г. программой отраслевого форума ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) как возможное решение ... читать далее.
Мы используем cookie-файлы, возможности LiveInternet, Яндекс.Метрики и SberAds для наилучшего представления нашего сайта в соответствии с Политикой обработки персональных данных. Если Вы согласны с этим, пожалуйста, нажмите кнопку «Принять». Продолжая пользоваться сайтом, Вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании сайтом cookie-файлов, LiveInternet, Яндекс.Метрики и SberAds, и согласны с Политикой обработки персональных данных.
