02.11.2009  Новости, Исследования и разработки

Корпорация Intel и компания Numonyx объявили о важных достижениях в разработке Phase Change Memory (PCM) – нового типа энергонезависимой памяти с возможностью создания многослойных массивов на одном кристалле. Это позволит создавать высокоскоростные системы хранения данных и память со случайным доступом, которые будут иметь более высокую плотность хранения данных, меньшее потребление энергии и миниатюрные размеры. В рамках совместных исследований Numonyx и Intel удалось разработать способ формирования многослойной памяти на базе фазовых переходов, получив возможность производить вертикально интегрированные ячейки PCM(S). Каждая ячейка включает два элемента, находящиеся в параллельных слоях: PCM и переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS). В совокупности PCM(S) формируют узловой массив. Возможность накладывать слои PCM(S)-ячеек друг на друга увеличивает плотность хранения информации при сохранении характеристик однослойной фазовой памяти. Ячейки фазовой памяти создаются путем соединения элемента хранения данных и переключающего элемента. Использовать PCM в качестве элемента хранения данных пытались давно, но ранее применяли сразу несколько типов переключающих элементов, что приводило к ограничениям массивов по размеру и эффективности. Инженерам Intel и Numonyx удалось использовать тонкопленочный двухтерминальный OTS в качестве переключающего элемента. Он соответствует физическим и электрическим свойствам PCM, открывая возможность масштабирования. Благодаря ... читать далее.