14.01.2011  Новости

Как объявила компания Samsung Electronics, в прошлом месяце она завершила разработку первого в отрасли модуля памяти DDR4 DRAM с использованием технологического процесса класса 30 нм. Новый модуль обеспечивает скорость передачи данных 2,133 Гбит/с, работая при напряжении в 1,2 В, что превосходит соответствующие показатели в 1,35 и 1,5 В для модулей памяти DDR3 DRAM, которые разработаны на базе того же технологического процесса класса 30 нм и обеспечивают скорость до 1,6 Гбит/с. При использовании в ноутбуках это позволяет сократить энергопотребление на 40% по сравнению с модулем DDR3, работающим на напряжении 1,5 В. В модуле используется технология POD – новая технология, которая применяется в высокопроизводительных модулях графической памяти DRAM и позволяет модулям DDR4 DRAM потреблять вдвое меньше электроэнергии по сравнению с модулями DDR3 при чтении и записи данных. Благодаря новой архитектуре монтажной платы модули DDR4 от компании Samsung могут работать на скорости 1,6–3,2 Гбит/с, что превосходит типичные показатели современных решений памяти: 1,6 Гбит/с для DDR3 и 800 Мбит/с для DDR2. В конце прошлого месяца компания Samsung передала на тестирование производителям контроллеров модули памяти 2 Гбайт DDR4 на базе технологии UDIMM, которые могут работать на напряжении 1,2 В. Сейчас Samsung планирует тесно сотрудничать с рядом производителей серверов, чтобы обеспечить завершение стандартизации JEDEC ... читать далее.