27.09.2013  Новости

Американский производитель Micron Technology заявил об отправке производственным партнёрам первых инженерных образцов оперативной памяти 3D Hybrid Memory Cube (HMC). Пока что отгружаются только модули на 2 Гб, каждый из которых состоит из четырех трехмерных 3D-чипов по 4 Гбит. Этот тип памяти создан на основе технологии DDR, но с применением многослойной 3D-архитектуры и предназначается для высокопроизводительных компьютеров и сетевых устройств. Каждый слой HMC-памяти объединен с другим при помощи технологии ввода/вывода Vertical Interconnect Access. Такое объединение призвано устранить ограничения современных архитектур памяти в области производительности (прежде всего, речь идет о пропускной способности), плотности компоновки и энергетической эффективности. В целом конструкция модуля HMC имеет размер 31х31 мм и обеспечивает скорость передачи данных 160 Гб/с. Кроме трехсантиметровых, Micron также изготовляет модули меньшего размера (16х19,5 мм), максимальная скорость передачи данных в которых не столь высока -- 120 Гб/с. Но в следующем году компания обещает покупателям модуль на 4 Гб со скоростью до 320 Гб/с. При этом HMC-чипы потребляют почти на 70% меньше электроэнергии в сравнении с DRAM-чипами. Как сообщает производитель, пропускная способность HMC будет зависеть от того, как много связей с чипом будет установлено конкретным производителем устройства. На один слой памяти можно установить до 4 соединений, что позволяет многоядерному процессору работать с разными блоками ... читать далее.