06.06.2016 Новости, Идеи и практики автоматизацииЛазерные установки разгона процессоров стали в миллион раз меньше
Группа учёных Гонконгского, Гарвардского и Калифорнийского университетов, а также Сандийской национальной лаборатории (США) разработали технологию создания микроскопических лазеров на поверхности кремниевых чипов. Она позволит ускорить работу процессоров и может совершить революцию в полупроводниковой промышленности, пишет EurekAlert. За разработкой технологии стоит желание учёных найти эффективный способ устранения дефектов в кристаллической решетке кремния. Эти дефекты не позволяли использовать лазеры для ускорения работы кремниевых чипов. Поиск решения, как пишет издание, потребовал тридцати лет исследований. Что касается деталей технологии, то сообщается, что в её основе лежит применение арсенида галлия в качестве подложки. Кроме того, в кристаллической решетке создали субволновые полости, в которых разместили галереи лазерных пучков диаметром 1 микрон. Вместо электрического тока для перемещения электронов используются лазеры, фактически новые чипы усеяны светоизлучающими элементами. По информации издания, для разгона процессоров лазерные установки применялись и раньше, но в сравнении с традиционными новые системы в миллион раз меньше. Чипы с лазерами могут использоваться для повышения скорости передачи данных. Они найдут применение в химическом зондировании и системах волоконно-оптической коммуникации. Ещё одним способ применения лазерных процессоров может стать фотоника, которая в настоящее время является наиболее энергетически и экономически эффективным способом ...
читать далее.