10.11.2017  Новости, Идеи и практики автоматизации

Простота интеграции в архитектуры массивов NAND и NOR обеспечила транзисторной флэш-технологии доминирующие позиции на рынке как самой успешной энергонезависимой памяти. Однако при попытках совместить в такой памяти высокую производительность с механической гибкостью разработчики сталкиваются с серьёзными проблемами, и в первую очередь с нехваткой гибких диэлектрических слоёв, отвечающих за туннелирование и блокирование зарядов. Обработка в растворе, используемая для изготовления большинства полимерных диэлектрических слоёв, не приспособлена для формирования бислойной диэлектрической структуры, необходимой для работы флэш-памяти. Ученые Корейского института передовых технологий разработали новую технологию создания гибкой флэш-памяти. В качестве подложки для такой памяти могут использоваться гибкие полимеры или бумага. Созданная исследователями память, как и обычная флэш-память, состоит из транзисторов, в которых помимо управляющего есть плавающий затвор. Именно он и отвечает за хранение информации: при отсутствии заряда на нем транзистор проводит ток, а при наличии — нет. В предложенной исследователями схеме сток и исток состоят из алюминия и кальция, канал — из фуллеренов C60, а оба затвора (управляющий и плавающий) — из алюминия. В результате того, что в качестве материалов диэлектриков между затворами и каналом исследователи выбрали два полимера, транзистору требуется относительно небольшое напряжение для записи (около 10 В), и, по расчетам, он может сохранять значение ... читать далее.