07.08.2019 НовостиКомпания Toshiba Memory Europe (TME) объявила о запуске в производство нового решения в области памяти класса хранилища (Storage Class Memory, SCM) — XL-FLASH. Оно создано на основе собственной инновационной технологии TME — 3D-флеш-памяти BiCS FLASH с размещением 1 бита данных в ячейке (SLC) — и обеспечивает низкую задержку и высокую производительность, востребованные в дата-центрах и корпоративных хранилищах данных. Решение XL-FLASH, представляющее собой память класса хранилища, или энергонезависимую память, способно сохранять содержимое аналогично флеш-памяти NAND и устраняет разрыв в производительности между памятью типов DRAM и NAND. Энергозависимая память, в том числе DRAM, обеспечивает необходимую скорость доступа к данным для работы приложений с высокими требованиями, но такая производительность связана с высокими затратами. Когда стоимость DRAM-решений в расчете на бит данных становится слишком высокой, а возможности масштабирования сходят на нет, SCM-уровень в иерархии запоминающих устройств позволяет решить эту проблему, предлагая экономически эффективное решение в виде энергонезависимой флеш-памяти NAND с высокой плотностью хранения данных. Аналитическая компания IDC прогнозирует расширение рынка SCM-устройств до более чем 3 миллиардов долларов США в 2022 году. Занимая нишу между DRAM и флеш-памятью NAND, решение XL-FLASH обеспечивает рост скорости, снижение задержки и увеличение объемов устройств хранения данных при более низкой стоимости по сравнению с ...
читать далее.