18.08.2022 Новости, Исследования и разработкиВ недавно опубликованный список запрещенных к экспорту из США продуктов и технологий, «жизненно важных для национальной безопасности», вошел среди прочего оксид галлия – полупроводник со сверхширокой запрещенной зоной перехода. Важность этого материала обусловлена тем, что на его основе можно изготавливать сравнительно недорогие высоковольтные интегральные микросхемы, широко применяемые в передовой радиотехнике, в частности, при создании оборудования для сетей 5G. Высокая электрическая проводимость металлов и низкая – диэлектриков объясняется тем, что у первых запрещенная зона перехода электрического заряда де-факто отсутствует, тогда как у вторых она чрезвычайно велика. Чтобы диэлектрический образец все-таки пропустил через себя заряженные частицы (ситуация, известная как «пробой изолятора»), к нему необходимо приложить крайне высокое напряжение. Полупроводники же по ширине запрещенной зоны в нормальных условиях занимают промежуточное положение между диэлектриками и металлами. Для кристаллического кремния типичная ширина запрещенной зоны составляет 1,1 эВ, и потому кремниевые полупроводниковые приборы относятся к разряду низковольтных: для работы с сильными токами, необходимыми в том числе для обеспечения устойчивой широкополосной цифровой радиосвязи, они не годятся. Сегодня разработчики полупроводникового оборудования для сетей 5G и иных высоковольтных СБИС делают ставку на нитрид галлия (GaN), у которого типичная ширина запрещенной зоны – около 3,4 эВ ...
читать далее.