10.01.2005  Новости

Олег Спиряев Исследователи и аналитики уже не раз предсказывали, что в ближайшие годы процесс миниатюризации микросхем достигнет физических пределов, которые уже нельзя преодолеть. Однако до сего дня ни одно из подобных предсказаний не сбылось. Высокая степень интеграции позволяет год от года наращивать мощность микропроцессоров и выпускать кристаллы памяти, способные хранить миллионы бит данных. Так, в августе прошлого года корпорация Intel (http://www.intel.com) сделала значительный шаг в развитии технологии производства микросхем нового поколения, выпустив на базе производственной технологии 65 нм первые полнофункциональные микросхемы памяти стандарта SRAM (Static Random Access Memory) емкостью 70 Мбит, содержащие более 0,5 млрд транзисторов. Таким образом, Intel продолжает выполнять свой план перехода на новые производственные технологии - каждые два года, в соответствии с законом Мура. Транзисторы в полупроводниковых микросхемах, изготавливаемых по новой 65-нм технологии, имеют затворы (переключатели, включающие и выключающие транзисторы) размером 35 нм, что приблизительно на 30% меньше, чем в случае 90-нм технологии. Для сравнения: диаметр красного кровяного тельца человека позволяет разместить около 100 таких затворов. Ячейка памяти (рис. 1), получаемая по новому технологическому процессу, состоит из шести транзисторов и занимает площадь в 0,57 мкм2 (0,46х1,24 мкм). Такие крошечные ячейки памяти позволяют значительно увеличить кэш-память процессоров при сохранении ... читать далее.