19.02.2008  Новости, Идеи и практики автоматизации

Компании Intel и STMicroelectronics начали поставки опытных образцов энергонезависимой памяти на базе технологии памяти с фазовым переходом (Phase Change Memory, PCM). Для оценки и испытаний заказчикам переданы созданные по 90-нм техпроцессу чипы емкостью 128 Мбит. В модуле памяти, получившем кодовое наименование Alverstone, используется технология PCM, которая обеспечивает высокое быстродействие при считывании и записи данных и позволяет сократить энергопотребление по сравнению с традиционной флэш-памятью. Новая технология также допускает побитные операции, характерные для памяти DRAM. Специалисты Intel и STMicroelectronics представили на Международной конференции по интегральным схемам (International Solid States Circuits Conference, ISSCC) научную статью с подробным описанием преимуществ технологии PCM. Компании также продемонстрировали рабочий образец модуля памяти высокой плотности и большого объема на базе многоуровневых ячеек (multi-level cell, MLC), изготовленный по технологии PCM. Совместная исследовательская программа Intel и STMicroelectronics по разработке памяти с фазовым переходом действует с 2003 г. Уже в 2004-м на конференции VLSI были продемонстрированы матрицы памяти объемом 8 Мбит, изготовленные по 180-нм технологии, а в 2006-м на симпозиуме VLSI был представлен 128-мегабитный модуль памяти Alverstone на базе 90-нм технологического процесса. Производством модулей Alverstone и другой совместной продукции будет заниматься новая независимая компания Numonyx ... читать далее.