01.03.2016  Новости, Мобильные и беспроводные решения

Компания Samsung Electronics объявила о запуске серийного производства первой в отрасли 256-Гбайт встроенной памяти на основе стандарта Universal Flash Storage (UFS) 2.0, предназначенной для мобильных устройств топ-класса нового поколения. Новая встроенная память в мобильных устройствах имеетвысокие показатели производительности: по данным компании, она работает почти в два раза быстрее твердотельных дисков SATA для компьютеров. Новая память UFS отвечает потребностям в ультравысокой скорости, большой емкости данных и компактных размерах чипов в смартфонах топ-класса. Она производится на основе самых современных чипов флеш-памяти V-NAND от Samsung, кроме того, в ней используется высокопроизводительный контроллер специальной конструкции. Память UFS может обрабатывать до 45 и 40 тыс. операций ввода-вывода в секунду (IOPS) при произвольном чтении и записи соответственно, что более чем в два раза превышает показатели предыдущего поколения памяти UFS (19 и 14 тыс. операций ввода-вывода в секунду). Благодаря использованию современной технологии памяти Samsung новые чипы памяти UFS очень компактные, они даже меньше внешних карт microSD. При последовательном чтении в памяти UFS 256 Гбайт используется два канала передачи данных, которые могут передавать данные со скоростью до 850 Мбайт/с, что почти в два раза превосходит показатели типичных твердотельных дисков SATA, применяемых в компьютерах. Для последовательной записи поддерживается скорость до 260 Мбайт/с, что приблизительно в ... читать далее.